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苏映维;
机译:反应性溶质在边界层中的流动通过多孔介质在渗透性平板上的扩散,表面浓度随功率规律变化
机译:外延生长和转移层可通过电化学蚀刻和退火多孔埋层
机译:Fe离子注入在外延生长的InP中制备半绝缘埋层的研究
机译:分子束外延生长外延汞碲化镉薄膜中砷的掺入和P型掺杂的研究。
机译:分子束外延生长GaAsSb外延层中的局部状态研究
机译:第1讲:两个尺度的故事:晶体表面形态演变的基本原理 ud第2讲:从离散方案到宏观演化规律:I。外延弛豫中的粗粒化和均匀化第3讲:从离散方案到宏观演化规律:II。晶面和边界条件
机译:aLE(原子层外延)和mBE(分子束外延)方法在层状Hg(1-x)Cd(x)Te薄膜生长中的应用
机译:通过外延生长制造具有掩埋层的器件的方法
机译:从外延半导体结构的生长衬底上激光分离外延膜或外延膜层的方法(变化)
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