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埋层表面浓度在外延生长中的变化规律

         

摘要

本文着重研究埋层浓度在外延过程中的变化规律,作出Sb埋层方块电阻在外延高温处理和汽相抛光时的变化曲线。利用这种实验曲线,可以根据各种集成电路对埋层方块电阻的不同要求,来调整、控制外延工艺,使之更好地满足各种集成电路的设计和工艺要求,特别是提高集成电路的大负载能力。 文中对埋层浓度在外延生长过程中的各种变化现象,进行了机理分析。

著录项

  • 来源
    《半导体技术 》 |1982年第1期|25-2724|共3页
  • 作者

    苏映维;

  • 作者单位
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类
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