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石墨基座外延的点滴体会

         

摘要

<正> 我们知道,n+埋层扩散后,接着进行N-型外延层的生长,并把它作为集成电路中晶体管的集电极用。 由此可见,外延层质量对电路性能有相当大的影响。事实上,电路中所有元件都是制作在这个N-型外延层中,而不是衬底中。 然而,要作出特性好的外延片,石墨基座的处理又是头等重要的问题之一。 我们采用渗硅法处理石墨。石墨结构的松紧对渗硅有很大的影响。结构松的石墨能渗入很多的硅,但大量硅渗入后,由于膨胀系数的不同常造成断裂。结构紧的石墨硅很难渗入,只能在石墨表面熔掉堆结。

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1977年第4期|15-16|共2页
  • 作者

  • 作者单位

    国营八二三一厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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