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须轮; 周君诚; 诸欣; 孙景山;
四机部一四二五所五○三组;
机译:亚微米级硅(001)窗口中硅锗选择性外延生长的负载效应
机译:自组装亚微米级二氧化硅球在硅衬底上异质外延生长高质量GaN薄膜
机译:通过仅使用硅烷进行硅的选择性外延生长而实现的具有提高的源极/漏极结构的亚微米MOSFET的电应力
机译:亚微米多晶硅籽晶的低温外延生长铝诱导结晶在玻璃上形成的层
机译:亚微米硅CMOS电路与硅上砷化镓异质外延的兼容性。
机译:微米至亚微米特征尺寸的地形图钛和硅衬底上内皮细胞的比较响应
机译:硅外延横向过生长形成的sOI岛两个独立层中亚微米mOsFET的垂直积分
机译:亚微米栅极In(0.52)al(0.48)as / In(0.53)Ga(0.47)as / In(0.52)al(0.48)的低频和微波表征作为分子生长的异质结金属半导体场效应晶体管光束外延。
机译:利用结构选择性外延生长技术和选择性硅刻蚀技术形成单晶硅图形的方法
机译:利用结构选择性外延生长技术和选择性硅刻蚀技术形成单晶硅图案的方法
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