光刻时保护背面氧化膜的作用

摘要

＜正＞ 硅平面器件在工艺流程中,通过每次光刻时,背面氧化膜均被刻蚀,因此引起了两个严重问题:一,在扩散时硅片的背面与正面（抛光的一面）刻蚀后的图形区都等同的扩入了p、n型杂质,使背面也形成两个pn结.为了消除背面的pn结,不得不增设减薄工序加以磨除.二,在硅片高温扩散时各种有害的重金属杂质可以自由通过背面渗入硅片体内,造成结特性退化和不稳,严重的影响器件的成品率.