反应管内的气流模式

摘要

＜正＞一、引言 众所周知,制造半导体器件的平面工艺要求精密地控制氧化层厚度、扩散浓度及深度、外延层厚度以及这些参数在工艺过程中的纵向、横向均匀性。实验发现,气体的流量、流速、温度对这些参数有比较明显的影响,特别是温度的影响更为显著。随着半导体工艺技术的迅速发展,大规模集成电路的大量投产,硅片的尺寸也愈来愈大。这样,为了提高元、器件的成品率和优品率,在氧化、扩散、外延等工艺中,必须要求精密控制温度、气流速度等工艺条