SiCl4氢还原低压硅外延生长的碳沾污

摘要

＜正＞关于硅材料制备过程中碳沾污的问题,近年来引起了人们极大的关注.我们在研究Sicl4氢还原低压硅外延生长时发现,外延层的碳沾污要比常压外延生长严重.不解决这个问题,将影响低压硅外延生长技术的正常使用和推广.为此,我们对SiCl4氢还原低压硅外延生长过程中碳沾污的问题进行了研究.