可用于InP-I~2L集成电路的平面扩散型InP异质结双极型晶体管

摘要

本文提出了一个新结构的平面磷化铟异质结双极型晶体管（InP-HBT）.这个管子的发射区是用无定型氧化镉（CdO）做的,基区采用锌（Zn）扩散工艺,收集区则采用浓度较高(5×1017cm-3InP.测试结果表明,该管能够双向工作.正向工作时的电流增益Hfed=25（3V,1mA）,反向工作的电流增益hfen=8（3V,1mA）,文章还提出了利用这种管子做开关管的InP-I~2L.