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中功率高反压管集电区参数的设计

         

摘要

让集电结势垒区穿通高阻集电区,并利用晶体管的击穿电压等于最大电场为雪崩击穿临界场强的电场分布曲线下的面积这种理论来设计高反压管的集电区参数,可以大大地减薄集电区的厚度,减小晶体管的饱和压降并改善其电流特性和功率特性.这是设计外延平面型高反压管集电区参数的一个较好的方法.

著录项

  • 来源
    《半导体技术》 |1986年第6期|57-59|共3页
  • 作者

    郑云光; 张寅辰;

  • 作者单位

    天津大学电子工程系;

    天津第五半导体器件厂;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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