国内首次获得3μm波段PbCdS半导体激光器

摘要

＜正＞ 中国科学院上海光机所半导体研究室于1987年3月26日在国内首次成功地获得了辐射波长为3μm的PbCdS半导体二极管激光器。该激光器的工作物质是采用水平无籽晶汽相输运技术生长的N-Pb0.97Cd0.03S单晶和自扩散及光刻工艺制成的台面二极管。二极管安装在致冷器的热沉上,在脉冲电流驱动下工作。