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Walter F. Kosoncky屈积建;
RCA;
机译:采用新型接线技术的高填充因子和逐行扫描PtSi肖特基势垒IR-CCD图像传感器
机译:高性能801 x 512元素PtSi肖特基势垒红外图像传感器
机译:高性能肖特基势垒Ge MOSFET的新型钯锗化物肖特基接触及其漏电流机理的表征
机译:高填充系数和逐行扫描PtSi肖特基势垒IR-CCD图像传感器,在光电二极管上具有新的布线结构
机译:肖特基势垒红外图像传感器的研究
机译:高性能有机太阳能电池中随温度变化的肖特基势垒
机译:具有低有效肖特基势垒的高性能肖特基势垒SOI-MOSFET的建模和制造
机译:高填充因子160 x 244元素和320 x 244元素ptsi肖特基势垒IR-CCD图像传感器
机译:高性能肖特基势垒源非对称MOSFET
机译:带肖特基势垒的高性能超高频场效应晶体管
机译:固体-带有光屏蔽板的摄像设备,该固体通过肖特基-与光电转换场接触的势垒层形成
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