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一种叉指结构集成的肖特基势垒二极管温度传感器及制法

摘要

本发明涉及一种叉指结构集成的肖特基势垒二极管温度传感器及制法。所述二极管包括依次设置的衬底层、缓冲层、n+‑GaN层、叉指结构和连接部;所述叉指结构包含n‑‑GaN层、欧姆电极和肖特基电极;所述叉指结构之间通过所述连接部进行连接;所述连接的方式包括串联。所述温度传感器通过叉指结构的肖特基势垒二极管进行串联集成,可以提高温度传感器的感度;且叉指结构集成的肖特基势垒二极管温度传感器相比较常规的肖特基势垒温度传感器,其温度敏感度提升了一倍,这样能够有效探测环境温度。

著录项

  • 公开/公告号CN111048618B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-11-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波铼微半导体有限公司;

    申请/专利号CN201911308964.1

  • 发明设计人 敖金平;李小波;李柳暗;蒲涛飞;

    申请日2019-12-18

  • 分类号H01L31/108(20060101);H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);G01K7/00(20060101);

  • 代理机构11471 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋艳艳

  • 地址 315000 浙江省宁波市北仑区大碶街道微山湖路16号

  • 入库时间 2022-08-23 12:43:39

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