注氧条件下GaAs中Ga+二次离子发射的研究

摘要

在有与没有Ar+同时轰击的条件下，研究了GaAs中Ga+2次离子发射的氧效应。对吸附在表面上的氧以及反弹注入到表面内的氧引起的Ga+二次离子产额增强效应进行了实验研究，同时测量了氧分压强对Ga+二次离子能量分布的影响。实验结果表明：注氧后Ga+二次离子能量分布变窄且最可见能量向低能端移动2～3eV，说明氧对低能Ga+二次离子的增强作用更强，这可以用断键模型来解释。