首页> 中文会议>第一届全国二次离子质谱学会议 >二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用

二次离子发射的LTE模型及其在GaAs样品中的应用

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号