Cd2Sb2O6.8半导体陶瓷的导电机理

摘要

本文对Cd2Sb2O6.8半导体陶瓷在-78～+1000℃温区及氧、氮、氩、空气、甲烷、CO/CO2等气氛中进行了导电性能的测试研究。分析了过量氧化镉在品格中的存在形式、氧空位与气氛的关系、不同温区内的导电机理及有关缺陷结构。计算出相应的激活能与迁移率。 文中还指出了这类半导体陶瓷的可能应用场合与尚待解决的问题。