阳极氧化Al2O3膜/InP和自身氧化膜/InP的界面性质

摘要

研究了用阳极氧化法制备的Al2O3膜/InP和自身氧化膜/InP两种MIS结构的组分分布和电学性质,AES、I-V、C-V和DLTS等测试结果表明,Al2O3/InP结构的性能更为优越.用DLTS方法发现这两类样品都具有峰值能量为Ec-Es=0.5eV、俘获截面为～10-15cm~2的连续分布的界面电子陷阱.认为该电子陷阱与磷空位缺陷有关.