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陽極酸化援用研磨法の開発(第2報) -陽極酸化における酸化膜界面粗さの酸化時間依存性

机译:阳极氧化支撑抛光方法(第2次报告) - 氧化膜界面粗糙度在阳极氧化中的氧化时间依赖性的研制

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摘要

CMP 加工された4H-SiC (0001)基板とダイヤモンドラッピングによりダメージを導入した4H-SiC (0001)基板に陽極酸化を行い酸化膜界面の形状を詳細に観察することで以下のことが明らかになった(1) CMP仕上げされた4H-SiC (0001)基板とダイヤモンドラッピングによりダメージを導入した4H-SiC (0001)基板に陽極酸化するとダメージを導入した基板の方が酸化速度は4.7 倍であった.(2) CMP 仕上げされた4H-SiC (0001)基板を100 μA/cm~2 の一定電流で150 s 陽極酸化すると突起状の酸化物が形成された.(3) CMP 仕上げされた4H-SiC (0001)基板を100 μA/cm~2 の一定電流で600 s 陽極酸化すると突起状の酸化物と平滑な酸化膜の2 種類の形状の酸化膜が形成された.
机译:CMP处理4H-SiC(0001)的4H-SiC(0001)基板,由金刚石敲击和阳极氧化成氧化物界面的形式,并详细观察氧化膜界面的形状。(1)CMP完成4H-SiC(0001 )4H-SiC(0001)当通过金刚石敲击引入损坏时,当阳极氧化成阳极氧化损伤时氧化速率为氧化速率为4.7倍。(2)当CMP完成4小时时,形成一个像样氧化物。 SiC(0001)衬底为150s阳极氧化,恒定电流为100μA/ cm 2 2.(3)CMP完成4H-当600秒阳极氧化时,恒定电流为100μA/ cm 2,两个形成氧化物氧化物的氧化膜和光滑的氧化膜的类型。

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