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BF2注入湿氧退火时漏电机理探讨

         

摘要

<正> 一、引言 用BF2代替B对CMOS源、漏P管注入具有几方面的优点。第一,束流大;第二,容易形成浅结;第三,湿O2退火时,依赖于反偏电压,BF2注入比B注入漏电小1~2个数量级。 在探讨BF2注入漏电小的机理时,有人提出吸杂效应。吸杂是将杂质和缺陷移出空间

著录项

  • 来源
    《固体电子学研究与进展》 |1988年第4期|366-368|共3页
  • 作者

    彭进; 郑宜钧; 江福来;

  • 作者单位

    无锡微电子联合公司科研中心;

    无锡微电子联合公司科研中心;

    无锡微电子联合公司科研中心;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
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