二氧化锡纳米线的制备及氢气敏感特性研究

摘要

采用化学气相沉积（CVD）方法在有金催化层的硅片上制备了SnO2纳米线。用扫描电子显微镜（SEM）及X射线衍射仪（XRD）对其形貌及结构进行了表征,分析了蒸发温度及氧气流量对SnO2相貌的影响。对比了SnO2纳米线在室温及150℃条件下的氢气敏感特性,结果表明SnO2纳米线在150℃下对氢气的灵敏度高达13.3,响应及回复时间≤5 s,表现出了良好的氢敏性能。