电沉积法制备CdSe薄膜及其光电性能

摘要

采用电沉积法制备了硒化镉（CdSe）薄膜,讨论了Cd（NO3）2和H2SeO3摩尔比（n（Cd∶Se））、聚乙烯吡咯烷酮（PVP）浓度、沉积电压和时间等条件对CdSe薄膜光电压的影响,并对样品进行X射线衍射（XRD）、能谱分析（EDS）和扫描电子显微镜（SEM）等表征。结果表明,CdSe薄膜制备最优条件是在二甲基甲酰胺（DMF）体系中,以0.005 5 mol/L PVP、0.036 mol/L Cd（NO3）2、0.054 mol/L H2SeO3混合液为电解液,室温下3.0 V直流电压沉积15 min,可得最高0.3680 V光电压的CdSe薄膜。XRD表征显示,在2θ值为25.354°,42.010°,49.699°,67.083°和76.780°处出现了（111）,（220）,（311）,（331）和（422）五个晶面衍射峰,与立方型CdSe标准衍射卡（PDF 19-0191）峰位相吻合。EDS分析表明,样品中Cd和Se质量分数分别为45.60%和51.65%,原子分数分别为36.84%和59.02%。SEM表征显示,样品中的CdSe呈多层链网结构,链直径尺寸为80300 nm。