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王瑞雪; 张婷; 李鲁涛; 魏明龙; 孟祥申; 邱晓燕;
西南大学物理科学与技术学院;
重庆400715;
NiOx多晶薄膜; 电阻开关特性; 温度依赖性; 隧穿机制;
机译:空间受限La_(0.3)Pr_(0.4)Ca_(0.3)MnO_3薄膜中非易失性双极电阻开关和隧穿磁阻的共存
机译:TiN / HfO_x / Pt电阻性开关记忆的导电机制:陷阱辅助隧穿模型
机译:多晶NiO_x薄膜中电阻转换的歧化反应和补偿反应
机译:p型MOS电容器的电应力特性直接隧穿机制中的多晶硅栅极和多晶硅栅极
机译:砷化铝/砷化镓三势垒共振隧穿二极管中的光诱导开关,隧穿和弛豫过程。
机译:探索缺陷导向的表面和隧穿特性准石墨烯/聚偏二氟乙烯纳米复合薄膜的柔性电子应用的2D材料
机译:电阻开关和电压感应隧穿效应 纳米垂直有机自旋阀的磁电阻
机译:均匀高Tc a15 Nb3Ge薄膜的制备,隧穿,电阻率和临界电流测量。
机译:电阻率低的热系数,在隧穿隧穿中的磁阻并联电阻
机译:嵌入式非挥发性记忆体,具有单层多晶硅记忆胞,可通过带对带隧穿感应的热电子进行编程,并且可通过FOWLER-NORDHEIM隧穿进行擦除
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