机译:TiN / HfO_x / Pt电阻性开关记忆的导电机制:陷阱辅助隧穿模型
Department of Electrical Engineering, Center for Integrated Systems, Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
Department of Electrical Engineering, Center for Integrated Systems, Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
Department of Electrical Engineering, Center for Integrated Systems, Stanford University, Stanford, California 94305, USA;
机译:Ti / HfO_x / Pt存储设备中两个接口中与氧空位迁移有关的电阻切换机制
机译:基于HfO_x的电阻开关存储器中的交流电导率测量和传导过程分析
机译:TiN / HfO_x / TiN电阻存储器件中界面层在互补电阻转换中的作用
机译:基于HFO_x的RRAM的传导机制的特征与建模
机译:阐述和优化了高级计算应用的电阻式随机存取存储器切换行为
机译:使用ZnO薄膜的电阻式开关存储器件的可靠性特性和导电机理
机译:温度对基于HfO2的1T-1R电阻随机存取存储器件的传导机制和开关参数的影响