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刘如青; 张力江; 魏碧华; 何健;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
成都天箭科技股份有限公司;
成都610041;
W波段; GaN高电子迁移率晶体管(HEMT); 功率放大器; 耦合器; 单片微波集成电路(MMIC);
机译:54%PAE,70-W X波段GaN MMIC功率放大器,具有各个源通过结构
机译:利用等效输出阻抗模型设计X波段40 W功率放大器GaN MMIC
机译:GaN on Si技术的MMIC功率放大器,用于下一代Q波段高通量卫星系统
机译:具有三路功率组合电路的Q波段6W MMIC功率放大器
机译:X波段GaN MMIC逆-F PA优化负载调制
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:具有三次谐波调谐电路的X波段GaN功率放大器mmIC
机译:Ku和K波段GaN高功率放大器mmIC。
机译:具有无条件稳定MMIC FET单元的高增益K波段功率放大器
机译:基于GaN的数字控制宽带MMIC功率放大器
机译:移动通信基站系统功率放大器的最终三路功率合成放大器电路
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