类球形氧化铈的制备及抛光性能

摘要

采用溶剂热法合成了粒径为200 nm左右的类球形Ce O2前驱体,在一定温度下煅烧得到抛光粉,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)、电子衍射、激光粒度分析仪等对其进行了表征和观察;同时考察了溶剂热温度、分散剂种类和用量等因素对合成类球形Ce O2前驱体的影响,以及不同煅烧温度和煅烧时间对单晶硅片抛光性能的影响。结果表明:以氯化铈为铈源,以0.75 mol·L-1NH3·H2O为沉淀剂,乙二醇为溶剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为分散剂,搅拌30 min后得到浑浊液转移至50 ml内衬聚四氟乙烯(PTFE)反应罐中,在烘箱中于180℃反应24 h,沉淀分别用去离子水,无水乙醇各洗3次,放于60℃烘箱中烘干,得到氧化铈前驱体,经500℃煅烧2 h为D50=203 nm的类球形Ce O2粉体,粉体分散性好,配成质量分数为0.2%的抛光浆料对n(111)型单晶硅片抛光,得到较高抛光速率和超平整的抛光表面。