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刘丹丹; 王勇; 叶镇; 高占琦; 张屿; 王晓华;
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室;
长春130022;
n型GaAs; 欧姆接触; 扩散阻挡层; Au/AuGe/Ni; 比接触电阻率;
机译:Ni / AuGe / Pt / Au中Pt扩散阻挡层对与n-GaAs欧姆接触的影响
机译:具有和不具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的快速评估退化活化能
机译:Pt:Ti与n型和p型4H-SiC的扩散阻挡层,互连层和同时欧姆接触
机译:具有和不具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的退化活化能的快速评估方法
机译:通过固相反应开发与n-Ga(或Al)(0.5)In(0.5)P的不尖峰欧姆接触以及对n-GaAs进行低温处理的欧姆接触
机译:纳米级厚铁扩散阻挡层使具有顶部Co2Fe6B2自由层的双MgO基p-MTJ自旋阀具有更高的TMR比和Δ。
机译:基于Pd / In的n-GaAs欧姆接触
机译:具有扩散阻挡层的n-Gaas的稳定的固相欧姆接触
机译:使用激光焊接与金属热扩散阻挡层进行欧姆接触以用于箔片化太阳能电池的方法
机译:欧姆接触的导电扩散阻挡层结构
机译:降低欧姆接触电阻的膜形成方法和三相层非晶扩散阻挡层
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