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马灵; 吕元杰; 王丽; 宋旭波; 顾国栋; 谭鑫; 郭红雨;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
石家庄050051;
专用集成电路重点实验室;
科技信息中心;
北京100044;
AlGaN/GaN; 漏源间距; T型栅; 射频特性; 击穿电压;
机译:源极-漏极间距对45 nm栅AlGaN / GaN MIS-HEMT的DC和RF特性的影响
机译:AlGaN / GaN晶体管的漏源间距对频率响应和击穿特性的影响
机译:漏极静态电压对脉冲RF模式下AlGaN / GaN HEMT器件老化的影响
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:薄Algan屏障PT-AlGaN / GaN HEMT气体传感器的响应增强在高温下源连接栅极配置
机译:随机电报噪声和低频噪声特性,AlGaN / GaN HEMT的漏极电流瞬态稳定性的漏极电流瞬态稳定性分析
机译:GaN /衬底热边界电阻对HEmT器件的影响
机译:凹入的源极漏极接触区不受鳍间距的影响,不受器件间距的影响,不受器件节距的影响
机译:兼容SI-CMOS工艺的Algan / GAN异质结HEMT器件及其制造方法
机译:氟化石墨烯钝化的AlGaN / GaN基HEMT器件及其制造方法
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