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陈代尧; 余学才; 汪平河; 刘永;
电子科技大学光电信息学院,成都610054;
高速光探测器; 导带不连续性; 单行载流子; 带宽;
机译:使用n + InGaAs / InAlAs / n-InGaAs电容器确定In0.53Ga0.47As / In0.52Al0.48As之间的导带不连续性
机译:勘误表:“晶圆键合的InGaAs / Si异质结的带不连续性测量” [Appl。物理来吧90,222111(2007)]
机译:GaN半导体上的Al2O3栅极绝缘膜的固相外延导致导带不连续性显着增加
机译:导带不连续性和二维电子气对InAlAs / InGaAs和InAlAs / InAlGaAs DHBT直流特性的影响
机译:GaAs / AlGaAs系统的异质结:通过金属有机化学气相沉积进行的晶体生长以及使用电容电压技术进行表征,以确定导带不连续性
机译:通过分子束外延-A化学惰性界面制备的ZnO / SiC同质异质结具有明显的谱带不连续性
机译:确定中国地幔过渡带不连续面的绝对深度:停滞板对过渡带不连续性的影响
机译:n型InGaas / Gaas应变单量子阱的带隙能量和导带质量的压力依赖性
机译:InGaAsP或InGaAs半导体激光元件,其中有源层的近边缘部分被带隙比有源层大的GaAs光波导层代替
机译:-通过介电-半导体盖层的组合在量子阱混合中控制InGaAs / InGaAsP量子阱带隙的方法
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