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赵兴凯; 叶晓达; 李世强; 韦华; 赵茂旭; 杨春柳; 孙清;
云南鑫耀半导体材料有限公司;
昆明650503;
磷化铟; 垂直梯度凝固(VGF)法; 降温速率; 孪晶; 位错; 缺陷;
机译:从LEC和VGF方法生长的单晶中获得的INP和INAS(100)衬底中的残留应激评价
机译:VGF工艺生长的GaAs和InP单晶中位错减少的有限元建模
机译:InP晶体VGF生长中旋转和行进磁场对界面形状和热应力影响的比较数值研究。
机译:〈100〉 InP单晶在石英坩埚中的生长使用VGF技术
机译:通过行进加热法(THM)了解单晶碲化镉锌(CZT)生产中的生长速率限制
机译:β-血色素DmsO溶剂化物的单晶X射线结构中的氯喹的存在下生长β-血色素生长速率抑制剂
机译:用可变混合物(INP,GaAs,GaN,SiC)对单晶表面生长在单晶表面上的ZnO原子排序的影响
机译:连续蚀刻对气相外延 - 氢化物法制备Inp生长速率和形貌的影响。
机译:用VGF法控制蒸气压以确保生长的GaAs单晶上的单晶的方法
机译:用V-VIS法或VGF法生长GaAs单晶的管的结构
机译:VGF法生长GaAs单晶的放大器倾斜法
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