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Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.
Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.
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Cardiff
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1.
Measurement of conduction band discontinuity in pseudomorphic In
x
Ga
1-x
As/In
0.52
Al
0.48
Asheterostructures
机译:
拟态In中导带不连续性的测量
x sub> Ga
1-x sub> As / In
0.52 sub> Al
0.48 sub> As异质结构
作者:
Huang J.H.
;
Lalevic B.
;
Chang T.Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
2.
Characterization of InP and related materials by light scatteringand photoluminescence
机译:
通过光散射表征InP和相关材料和光致发光
作者:
Steigmeier E.F.
;
Auderset H.
;
Epler J.E.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
3.
Electrical and optical characterizations of Ga-doped or Sb-dopedInP crystal
机译:
Ga掺杂或Sb掺杂的电学和光学表征InP晶体
作者:
Liu X.
;
Ye S.
;
Yang B.
;
Jiao J.
;
Zhao J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
4.
High quality thermally diffused p+-n InP structures
机译:
高质量的热扩散p + sup> -n InP结构
作者:
Faur M.
;
Goradia C.
;
Goradia M.
;
Weinberg I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
5.
T-gate process and delay time analysis for sub-1/4-μm-gateInAlAs/InGaAs HEMT's
机译:
小于1/4μm闸门的T闸门工艺和延迟时间分析InAlAs / InGaAs HEMT
作者:
Enoki T.
;
Ishii Y.
;
Tamamura T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
6.
Ion implanted monolithically integrated planar InP/InGaAs/InP:Fephotoreceiver
机译:
离子注入单片集成平面InP / InGaAs / InP:Fe光接收器
作者:
Romer D.
;
Albrecht H.
;
Hoffmann L.
;
Walter J.W.
;
Ebbinghaus G.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
7.
InGaAs/InP submicron gate microwave power transistors for 20 GHzapplications
机译:
适用于20 GHz的InGaAs / InP亚微米栅极微波功率晶体管应用领域
作者:
Johnson G.A.
;
Biedenbender M.D.
;
Kapoor V.J.
;
Messick L.J.
;
Nguyen R.
;
Schmitz D.
;
Jurgensen H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
8.
Influence of the well composition and thickness in theGaInP/InP/GaInAs/InP structure for HEMT
机译:
井的组成和厚度对HEMT的GaInP / InP / GaInAs / InP结构
作者:
Loualiche S.
;
Le Corre A.
;
Salaun S.
;
Durel S.
;
Lecrosnier D.
;
Guillemot C.
;
Vaudry C.
;
Henry L.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
9.
Electrical and optical characteristics of Mg implantedsemi-insulating InP
机译:
注入镁的电学和光学特性半绝缘InP
作者:
Krauz P.
;
Rao E.V.K.
;
Descouts B.
;
Gao Y.
;
Thibierge H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
10.
Significant improvement of electroabsorption saturation intensityby use of AlGaInAs as barriers for GaInAs multiple quantum wells
机译:
电吸收饱和强度的显着改善通过使用AlGaInAs作为GaInAs多量子阱的势垒
作者:
Chang T.Y.
;
Sauer N.J.
;
Wood T.H.
;
Pastalan J.Z.
;
Burrus C.A. Jr.
;
Johnson B.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
11.
Impurity induced disordering of GaInAs quantum wells with barriersof AlGaInAs or of GaInAsP MQW waveguides
机译:
杂质引起的具有势垒的GaInAs量子阱的无序化GaInAs或GaInAsP的数量MQW波导
作者:
Marsh J.H.
;
Bradshaw S.A.
;
Bryce A.C.
;
Gwilliam R.
;
Glew R.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
12.
Uniform MBE growth of N-AlInAs/InGaAs heterostructures on 3-inchInP substrates and HEMT fabrication
机译:
3英寸N-AlInAs / InGaAs异质结构的MBE均匀生长InP基板和HEMT制造
作者:
Imanishi K.
;
Ishikawa T.
;
Higuchi M.
;
Kondo K.
;
Katakami T.
;
Kuroda S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
13.
Effects of PCl
3
addition on ECR CH
4
/H
2
/Ar plasma etching of InP and InGaAs
机译:
PCl
3 sub>添加对ECR CH
4 sub> / H
2的影响 sub> / Ar等离子蚀刻InP和InGaAs
作者:
Pearton S.J.
;
Katz A.
;
Chakrabarti U.K.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
14.
Highly uniform 2'Φ Fe-doped InP epitaxial layer grown byN
2
carrier gas mixed chloride vapor phase epitaxy
机译:
通过以下步骤生长的高度均匀的2“ΦFe掺杂InP外延层N
2 sub>载气混合氯化物气相外延
作者:
Yoneyama S.
;
Yoshimura M.
;
Tahahashi M.
;
Katayama K.
;
Takemoto K.
;
Okuda H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
15.
Growth of high purity InP and fabrication of high sensitivityInP/GaInAs heterojunction phototransistors on silicon by OMVPE
机译:
高纯度InP的生长和高灵敏度的制造OMVPE在硅上的InP / GaInAs异质结光电晶体管
作者:
Aina L.
;
Mattingly M.
;
Burgess M.
;
OConnor J.M.
;
Shastry S.K.
;
Hill D.S.
;
Salerno J.P.
;
Davis A.
;
Lorenzo J.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
16.
New fabrication method for high frequency InP/InGaAsP buriedheterostructure semiconductor lasers
机译:
埋入高频InP / InGaAsP的新制造方法异质结构半导体激光器
作者:
Holmstrom R.P.
;
Meland E.
;
Schlafer J.
;
Powazinik W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
17.
Growth of 〈100〉 InP single crystals in quartz cruciblesusing the VGF technique
机译:
〈100〉 InP单晶在石英坩埚中的生长使用VGF技术
作者:
Ejim T.I.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
18.
MBE growth of very high electron mobility InAlAs/InGaAs/InPheterostructure
机译:
超高电子迁移率InAlAs / InGaAs / InP的MBE生长异质结构
作者:
Tacano M.
;
Sugiyama Y.
;
Takeuchi Y.
;
Ueno Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
19.
Very low threshold current density (Al)GaInAs/Al(Ga)InAs laserstructures grown by atmospheric pressure MOVPE
机译:
极低的阈值电流密度(Al)GaInAs / Al(Ga)InAs激光器大气压MOVPE生长的结构
作者:
Gessner R.
;
Beschorner M.
;
Druminski M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
20.
Carrier confinement and feed-back correlation in InAlAs/InGaAsHEMTs on InP substrate
机译:
InAlAs / InGaAs中的载流子限制和反馈相关InP基板上的HEMT
作者:
Kohn E.
;
Dickmann J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 1991., Third International Conference.》
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