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李雅飞; 李晓良; 马英杰; 陈洁珺; 徐飞; 顾溢;
上海大学理学院物理系;
上海200444;
中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室;
上海200050;
ICP刻蚀; Cl2/Ar; Cl2/BCl3; 光刻胶碳化变性; 刻蚀图形侧壁;
机译:正性光刻胶对反应性离子刻蚀工艺中硅刻蚀的影响
机译:硅基块状FinFET,采用无掩模和无光刻胶的新型光刻技术进行刻蚀
机译:通过直接的氩氧离子束刻蚀通过矩形光刻胶掩模制造极紫外火焰光栅
机译:使用化学辅助离子束刻蚀和简单的光刻胶掩模制作具有干刻蚀面的InGaAsP / InP脊形波导激光器
机译:在使用Langmuir探针和光发射光谱法的深反应离子刻蚀系统中,等离子体表征和刻蚀速率以及通孔侧壁角度相关。
机译:SiO2球形掩模的ICP刻蚀技术制备金刚石亚微米透镜和圆柱体
机译:嵌入掩模图形化(Emp)过程中等离子体刻蚀L10 Fept介质的分子动力学模拟研究
机译:电感耦合等离子体(ICp)干蚀刻中三氯化硼/氯气体分子外延生长p型氮化铝镓的刻蚀特性及表面分析
机译:半导体的结构刻蚀-在刻蚀之前在四:氟甲烷等离子体中进行短暂处理,以增加光刻胶掩模的附着力
机译:可以通过ICP型刻蚀设备有效去除相移掩模上残留的抗蚀剂的相移掩模的制备方法
机译:用于等离子体刻蚀过程中侧壁轮廓控制的双层光刻胶技术
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