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章放; 张艺影;
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室,北京100084;
深圳市创益科技发展有限公司,广东深圳518029;
发光二极管; GaN; 导热层; 氮氧化铝;
机译:具有微孔阵列,45°侧壁和SiO 2 sub>纳米粒子/微球钝化层的GaN基发光二极管的性能改进
机译:具有特定纹理侧壁的GaN基发光二极管光提取改进的实施
机译:具有纹理化侧壁和ICP传输的纳米半球形背面反射器的GaN基发光二极管的光提取增强
机译:Ag膜上的石墨烯,用于与GaN基发光二极管中的p型GaN形成反射导电层欧姆接触
机译:GaN基发光二极管和垂直腔表面发射激光器的量子效率增强。
机译:通过在p-GaN表面图案化光子准晶体和n侧侧壁粗糙化来增强GaN基发光二极管的光输出功率
机译:聚(2,6-二甲基-1,4-苯醚)与聚(乙烯基苄基氯)-b-聚苯乙烯共混,用于形成阴离子交换膜。
机译:外延生长用基板,GaN基半导体膜的制造方法,GaN基半导体膜,GaN基半导体发光元件和GaN基半导体发光元件的制造方法
机译:用于形成GaN基电子器件的欧姆接触的GaN-GaN方法和由其形成的GaN基电子器件的欧姆接触
机译:III-V型复合半导体膜和生长方法,GAN系统半导体膜及其形成,GAN系统半导体叠层结构及其形成,GAN系统半导体元件及其制造
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