PLA制备Tb-Si纳米颗粒及室温光致发光性能研究

摘要

采用脉冲激光烧蚀技术（PLA）在n型Si（100）单晶衬底上制备Tb-Si纳米颗粒。原子力显微镜（AFM）观察样品的表面形貌,发现样品表面是均匀分布的纳米颗粒,颗粒尺寸在10~20 nm之间,分布密度大约为6×1010/cm2。光电子能谱（XPS）及高分辨透射电镜（HRTEM）分析表明,纳米尺度的单晶硅化物颗粒的主要成分为Tb-Si及少量Tb-Si-O结构。室温下以荧光为激发光对样品的光致发光（photoluminescence）性能进行测试,结果表明样品在可见光区具有较强的发光现象,主要有4个发光峰,分别位于485,545,585和620 nm附近,这些发光峰主要由Tb3＋中电子在不同能级之间的跃迁造成。