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王庆伟; 徐征; 赵谡玲; 张春萍; 俞健; 胡盛华; 钟思华; 刘金虎; 张鹏;
北京交通大学理学院太阳能研究所,北京100044;
北京中联科伟达技术股份有限公司,北京100012;
太阳电池; 扩散方阻; 印刷栅线; Matlab拟合; 最优值;
机译:采用优化的新型绝缘体上硅实现技术的先进的10nm宽度绝缘体上硅三栅晶体管,无需对栅极氧化物进行退火
机译:具有嵌入式栅结构的玻璃上的自匹配金属双栅低温多晶硅TFT
机译:基于硅的高效P-N结和异结太阳电池基本特性建模的统一方法
机译:低温下一氧化碳带旋转线的强度和半宽度(低温下一氧化碳吸收线的强度和半宽度的研究)
机译:使用Al2O3势垒层控制原子层沉积的Al2O3 / La2O3 / Al2O3栅堆叠中的硅扩散控制
机译:硅太阳能电池多线前接触栅的仿真研究
机译:不同扩散源对硅太阳电池重组特性的影响。
机译:计算斜坡上的斜面雪压和方坯宽度等的雪压阻并配置方坯宽度等的计算方式
机译:一种利用硅的自匹配结晶与金属的自匹配结晶的半导体器件用于TFT,顶栅形式TFT的空顶栅形式的薄膜晶体管的生产方法
机译:改善硅太阳电池接触栅和发射极层之间欧姆接触行为的方法
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