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王溯源; 陶岳彬; 陈志忠; 俞锋; 姜爽; 张国义;
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871;
GaN; 微米LED; 模拟;
机译:氢注入浓度对GaN基谐振腔LED特性的影响
机译:Icp刻蚀研究具有Gan纳米锥结构的Gan基垂直注入发光二极管
机译:使用亚微米级Ag岛和ITO薄膜的GaN基发光二极管的表面形态,结构,电学和光学特性
机译:GaN基微米LED在极高注入水平下的工作行为
机译:超越传统的基于c面的GaN发光二极管:对LED在半极性方向上的系统研究。
机译:具有不同铟含量和不同阱宽度的InGaN / GaN多量子阱基LED的电致发光特性
机译:GaN基扩散注入辉光二极管结构的发光特性
机译:基于GaN微LED阵列的全尺寸自发光蓝色和绿色微显示器
机译:GaN基LED元件,制造方法以及用于制造GaN基LED元件的模板的GaN基LED元件
机译:GaN基LED元件,制造GaN基LED元件的方法以及制造GaN基LED元件的模板
机译:GaN基半导体发光元件,发光元件组件,发光装置,GaN基半导体发光元件的制造方法,GaN基半导体发光元件的驱动方法以及图像显示装置
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