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陈艳明;
吉林恩智浦半导体有限公司;
吉林132000;
二极管; 掺Au扩散; 反向恢复时间; 正向压降; 反向电流; 衬底电阻率;
机译:光伏对掺有镍(Ni)-锌(Zn)有机界面层的Au / n-Si肖特基势垒二极管电和介电性能的影响
机译:电子辐射对Zn / N-Si / Au-Sb和Zn / ZnO / N-Si / Au-Sb二极管电参数的影响
机译:快速热退火对双金属结构Au / Ni / n-InP(1 1 1)二极管的电和结构性能的影响
机译:照明对AU / P3HT / N-Si肖特基屏障二极管电参数的影响
机译:二极管泵浦Nd(3+)和掺Yb(3+)的YCa(4)O(BO(3))(3)(YCOB)的功率定标:一种新型的自倍频激光器。
机译:掺Ge的垂直GaN肖特基势垒二极管的恢复性能
机译:快速恢复应用中硅基功率二极管的制造实践
机译:开发和制造高电流,快速恢复功率二极管
机译:利用薄氧化硅层扩散Au和Pt制造高速功率开关二极管的方法,以防止Pt和Au的不均匀分布
机译:具有软恢复和突变二极管的功率半导体组件-在不同尺寸的软恢复和快速开关续流二极管部分之间具有不均等的电流分配
机译:适用于受当前循环现象和/或快速电压变化影响的应用的具有减少的恢复时间的二极管
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