首页> 中文期刊> 《半导体技术 》 >掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响

掺Au扩散对快速恢复功率二极管电参数的影响

         

摘要

简述快速恢复功率二极管的几个重要电参数及其工作原理,根据长期制造二极管的实验经验和实验数据分析,掺Au工艺对快速恢复功率二极管反向恢复时间trr和外延二极管正向压降VF以及反向电流IR的影响。实验采用掺Au扩散温度在900℃以上,观察随着扩Au温度升高trr变小、而IR和VF随之增大,通过实验着重讨论了这三个电参数的相互制约关系。同时指出,选择Si片时,衬底电阻率范围不易过宽,避免由于衬底电阻率Rs差值较大对Si片与Si片之间的电参数工艺控制指数的影响。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号