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刘书焕; 李达; 郭晓强; 林东升; 张伟; 刘新赞;
西安交通大学核科学与技术学院;
西安710049;
西北核技术研究所;
西安710613;
清华大学微电子研究所;
北京100084;
河北经贸大学;
石家庄050061;
SiGe; HBT; γ辐射; 总剂量效应; 电流增益; 损伤系数;
机译:〜(60)Coγ射线辐照引起的SiGe HBT的总电离剂量效应
机译:偏置条件对 src =“ / images / tex / 38457.gif” alt =“ ^ {60} {hbox {Co}} gamma”> inline-formula的总电离剂量效应的影响>在SiGe HBT中
机译:不同暴露条件下SiGe Hbts总剂量效应的研究
机译:对200GHz SiGe HBT(HF 12)的100meV氧离子和C0-60γ辐照效应的比较
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:SiGe-HBT和CMOS技术的60 GHz收发器电路
机译:硅锗(siGe)异质结双极晶体管(HBT)在移动技术平台中的作用
机译:用硅锗(SiGe)异质结双极晶体管(HBT)集成栅全部(GaA)晶体管(HBT)
机译:基于SiGe或SiGeC的HBT与带SiGe或SiGeC的半导体器件的集成
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