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张娇; 张亚民; 冯士维;
北京工业大学微电子学院;
北京100124;
GaN基HEMT; 陷阱表征; 瞬态电流法; 时间常数谱; 贝叶斯迭代;
机译:绝缘栅GaN功率器件中的陷阱机制:了解和表征技术
机译:迄今为止,GaN(氮化镓)GaN功率器件的吸引力在于:GaN功率器件的潜力,器件的功能以及实现收益的专有技术
机译:100nm Si-GaN GaN HEMT技术中陷阱效应的微波表征
机译:GaN基功率器件结构中的空位型缺陷-离子注入GaN和Al中的缺陷表征
机译:GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征= GaN-On-GaN垂直功率器件的电子显微镜表征
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:通过低频s参数测量和基于TCaD的物理器件仿真识别微波功率alGaN / GaN HEmT中的GaN缓冲阱
机译:GaN功率电子器件:从GaN-on-si横向晶体管到GaN-on-GaN垂直晶体管和GaN CmOs IC。
机译:制造GAN基功率器件的方法和由此制造的GAN基功率器件
机译:形成GaN基功率器件的方法和由其形成的GaN基功率器件
机译:GaN基半导体发光器件,发光器件组件,发光器件,用于制造GaN基半导体发光器件的方法,用于GaN基半导体发光器件的驱动方法和图像显示装置
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