在冷轧的Ni基底上沉积CeO_2缓冲层

摘要

在有和无离子束辅助两种情形下 ,在冷轧Ni基底上制备了CeO2 薄膜 ,结果表明 ,无离子束辅助沉积时 ,薄膜表现出 (111)取向 ,在离子能量为 2 4 0eV、束流为 2 0 0 μA/cm2 、基片温度为 36 0℃的条件下沉积的CeO2 薄膜呈现出良好的 (0 0 2 )