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张亚楼; 蒋葳; 刘云飞; 许静; 尹海洲;
中国科学院微电子研究所;
北京100029;
空穴迁移率; 晶面; 沟道方向; 有效电场; Si(112)晶面;
机译:非晶硅薄膜晶体管,其电子的场效应迁移率为2 cm〜2 / V s,空穴的迁移率为0.1 cm〜2 / V s
机译:氢终止的硅(111)表面上的高迁移率二维空穴系统
机译:(110)表面上超薄 - 体SOI MOSFET中的空穴迁移率调查:硅厚度和身体掺杂的影响
机译:用于非晶硅基太阳能电池的p型和本征材料的研究。
机译:使用不同缓冲层配置的200mm硅(111)衬底上的AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管结构研究
机译:氢化非晶硅中的空穴迁移率限制原子结构
机译:非晶硅基薄膜光伏器件的研究:任务B,稳定高效大面积,非晶硅基子模块的研究。半年度分包合同报告,1989年3月16日至1989年11月30日。
机译:用于电极迁移率的无电极测量设备用于空穴迁移率的无电极测量设备用于电极迁移率的无电极测量方法和用于空穴迁移率的无电极测量方法
机译:具有高空穴迁移率的硅兼容锗基晶体管
机译:具有空穴的硅基衬底上的高迁移率MISFET半导体器件及其制造方法
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