退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
崔兴涛; 陈万军; 施宜军; 信亚杰; 李茂林; 王方洲; 周琦; 李肇基; 张波;
电子科技大学电子科学与工程学院;
成都610054;
增强型; 氮化镓(GaN); 高电子迁移率晶体管(HEMT); 刻蚀技术; 击穿电压;
机译:使用HfO_2高k电介质进行表面钝化和栅氧化的AlGaN / GaN HEMT的增强的器件性能
机译:GaN封盖对通过CVD生长的AI_2O_3栅绝缘的InAlN / AlN / GaN MOS-HEMT性能的影响
机译:干槽工艺对增强型GaN金属氧化物半导体场效应晶体管的影响
机译:栅槽式Al2O3 / AlGaN / GaN MOS-HEMT中Al2O3层和刻蚀深度对2DEG片密度的影响机理。
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:极化库仑场散射对70nm栅长AlGaN / GaN HEMT的电性能的影响
机译:栅漏间距对原位SiN钝化InAlGaN / GaN MIS-HEMT的低频噪声性能的影响
机译:结合GaN衬底热边界电阻的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEmT)器件的混合多栅模型。
机译:Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译:基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
机译:增强型GaN HEMT器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。