Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性

摘要

基于0.13μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究。该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管（T_1）和信号传输管（T_2）组成,采用带带遂穿（BTBT）编程方式和福勒-诺德海姆（FN）遂穿擦除方式实现了其＂开/关＂态功能,并对其＂开/关＂态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性。实验结果表明,该单元具有较优的＂开/关＂态特性和电参数一致性,T_1/T_2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2 V和2.4%;在工作电压为-1.5 V条件下,T_2管＂关＂态的漏电流均在1 p A/μm以下,T_2管＂开＂态的驱动电流均值为116.22μA/μm,均一性为5.61%;该单元循环擦/写次数可达10 000次。同时,在25℃的＂开/关＂态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年。