一种高驱动Sense-Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法

摘要

本发明公开一种高驱动Sense‑Switch型pFLASH开关单元结构及其制备方法，属于微电子集成电路领域。通过浮栅电荷共享的方式实现编程/擦除管对信号传输管的开关态，实现电荷共享方式为BTBT编程和FN擦除方式；所述FLASH开关单元是制作在硅基的深N阱中，并将信号传输管与编程/擦除管的有源区有效隔离；所述FLASH开关单元的栅氧层下方信号传输管有源区存在多个绝缘沟槽，能够提供更大的电流；所述信号传输管栅氧层与编程/擦除管的隧道氧化层是同膜层，是采用低压掺N氧化工艺实现；其余均采用业界标准工艺制作完成。本发明兼容于CMOS工艺，不仅具有良好的电荷保持特性、耐久性、阈值窗口宽，而且具有抗总剂量能力强、编程效率高、驱动能力强等优点。