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刘益春; 徐海阳; 刘春阳; 刘为振;
东北师范大学物理学院紫外光发射材料与技术教育部重点实验室先进光电子功能材料研究中心;
长春130024;
ZnO; 异质结; 紫外光发射器件; p-n结型;
机译:通过热氧化和水热生长工艺制造用于紫外光电探测器的p-NiO / n-ZnO异质结器件
机译:MgZnO / ZnO双异质结二极管中分子束外延的紫外光发射
机译:石墨烯/ ZnO基p-n结器件的制备及其紫外光响应特性
机译:MgZnO / ZnO异质结构,用于紫外光发射器和自旋加速器:材料生长和器件设计
机译:用于增强型ZnO / Si异质结光电器件的等离子纳米结构。
机译:ZnO纳米棒/ MEH-PPV异质结的紫外光致发光通过优化其厚度并使用AZO作为透明导电电极来实现
机译:pN-异质结控制的低暗电流,高电流增益的pVK / ZnO纳米粒子复合材料紫外光电探测器
机译:具有外延ZnO基异质结的紫外电注入光源
机译:N-ZNO/N-GAN/N-ZNO异质结基双向紫外发光二极管及其制备方法
机译:发光器件包括具有异质结的倒置的铝铟镓氮化物布置以及电极,该异质结具有在n导电层和p导电层之间布置的发射层。
机译:在高间隙比发射极-基极异质结中采用载流子倍增的异质结半导体器件
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