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蔡二辉; 汤斌兵; 周剑; 辛超; 周浪;
南昌大学太阳能光伏学院;
南昌330031;
硅片; 切割; 表面损伤; 少子寿命; 钝化;
机译:表面润湿性对SiO2 / Si衬底上印刷碳纳米管薄膜晶体管电学性能的影响
机译:Si衬底取向对高K应用晶体Gd_2O_3薄膜电学性能的影响
机译:通过在室温下通过表面活化键合的Si / Si,Si / InP和Si / GaAs界面的粘合强度和电学特性:溅射时间和能量的影响
机译:加工参数对高强度氮化硅Si(3)N(4)的次表面损伤的影响。
机译:后金属化工艺对Si量子点太阳能电池电学和光伏性能的影响
机译:成核层形貌对alGaN / GaN异质结构的晶体质量,表面形貌和电学性能的影响*
机译:温度和晶体取向对Fe-si-sn-C合金表面偏析影响的观察
机译:表面积层压方法,例如晶体管,包括在将箔片同时固定在表面区域上的过程中切割箔片,并以单独或选择性的方式调整区域的特性以使箔片起作用
机译:锯条具有两个分别固定在晶体片和载体板上的表面,其中条带使用线锯将半导体圆片从片上切割下来,并通过在条带上钻孔而与条带分离
机译:用于在漆膜上切割纳米结构的设备和系统,以及在塑料膜或薄膜上或暴露于紫外线的情况下,可以在这些表面上涂覆的漆和墨的任何表面,这些漆和墨会在其表面重现衍射晶格,全息图,微透镜,干涉滤光片和光子晶体。
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