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熊超; 袁洪春; 徐安成; 陈磊; 陆兴中; 姚若河;
常州工学院光电工程学院,江苏常州213002;
华南理工大学电子与信息学院,广州510641;
ZnO; p-Si异质结; I-V特性; C-V特性; 内建电势; 界面态;
机译:Ni / n-TiO_2 / p-Si / Al异质结构在宽温度范围内的I-V和C-V特性的势垒不均匀性研究
机译:ZnO:Al / p-Si异质结的电容电压(C-V)特性
机译:溶胶 - 凝胶辅助化学浴沉积法生长ZnO / P-Si异质结二极管结构,形态学和电特性的生长时间效应研究
机译:研究N-ZnO / P-Si异质结的I-V和C-V表征
机译:具有和不具有界面层的n-ZnO / p-Si单异质结太阳能电池的开发。
机译:石墨烯/ MnZn铁氧体/ p-Si异质结的红外特性和太赫兹波调制
机译:p-si上ZnO薄膜的制备及p-si / n-ZnO的I-V特性
机译:脉冲激光沉积技术获得的nGaas-nInsb异质结的I-V和C-V特性。
机译:p-Si / n-CdS异质结光伏电池
机译:I-V特性测量装置,I-V特性测量方法和用于I-V特性测量装置的程序
机译:太阳能电池的I-V特性测量设备和I-V特性测量方法,以及录制有I-V特性测量设备的程序的记录介质
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