Ga1-xInxNyAs1-y体系中平均键长的统计模型

摘要

提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布。然后结合前人实验采用Guass分布拟合各N最近邻原子团簇的存在几率,并总结出平均键长的公式。最后,用基于第一性原理的Material Studio软件中的DMol3模块计算并读取Ga28In4N1As31超单胞在不同N最近邻原子环境下的最优化键长,实现该组分条件下平均键长和应变的计算。结果表明,退火后局域应变和体系总应变均呈减少趋势,这与前人实验结果具有较好的一致性。