汉语阅读障碍儿童听觉认知事件相关电位研究

摘要

目的:探讨阅读障碍儿童认知事件相关电位的特点,以了解阅读障碍认知缺陷的脑机制。方法:利用事件相关电位技术,采用听觉主动Oddball范式,比较阅读障碍(RD)儿童与正常儿童在不同注意状态下的听觉事件相关电位特点。结果:在注意不计数条件下,RD组儿童N2、P3潜伏期长于非RD组儿童,P3波幅低于非RD组儿童;在注意计数条件下,RD组儿童记数失误率远大于非RD组儿童,其P3潜伏期显著长、P3波幅显著低于非RD组儿童,差异均有统计学显著意义(P<0.01)。结论:阅读障碍儿童存在注意及记忆缺陷。