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孙小庆; 魏峰; 杨志民; 陈秋云; 陈军;
北京有色金属研究总院先进电子材料研究所;
北京100088;
表面物理与化学重点实验室;
四川绵阳621907;
氧化铈; 脉冲激光沉积法; 结构特征; 表面形貌; 折射率;
机译:脉冲激光沉积在Si(100)衬底上生长的(111)取向CeO_2薄膜的共振光发射研究
机译:脉冲激光沉积在Si(111)上生长的Pb薄膜的形貌和结构
机译:Si(111)衬底上脉冲激光沉积制备的ZnO薄膜的结构和光电性质的研究
机译:薄膜晶体管,具有脉冲激光沉积在Si_3N_4 / SiO_2 / Si(111)基板上生长在Si_3N_4 / SiO_2 / Si(111)底板上
机译:氢封端的Si(111)-(1×1)表面Fe薄膜生长初期的微观结构和局部电子态的研究
机译:脉冲激光沉积生长的(001)和(111)取向钙钛矿高铁酸盐薄膜的外延结构
机译:GGG(111),GGG(110),YSZ(100)和Si(100)上的脉冲激光沉积的脉冲激光沉积的BI掺杂铁石榴石薄膜的特征
机译:通过脉冲激光烧蚀在无定形siO(sub 2)衬底上生长的(111)晶体CeO(sub 2)薄膜的形态和微观结构
机译:在Si(111)/(001)SOI衬底或Si(001)/(111)SOI衬底上连续生长GaN和GaAs表象层的方法以及使用在Si(111)上连续形成的GaN和GaAs表象层的半导体发光器件模块)/(001)由此制造的SOI基板
机译:Si100 / Si111硅蚀刻剂组合物表现出低Si100 / Si111选择性和低碳化硅蚀刻速率
机译:111在高级栅极电介质上在Si111上生产超薄晶态氮化硅的工艺
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