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刘大力; 冯泉林; 周旗钢; 何自强; 常麟; 闫志瑞;
北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司;
北京100088;
颗粒缺陷; 外延; SP1; 拉速;
机译:Si衬底上生长的AlGaN / GaN外延层中的位错引起的表面缺陷结构的研究
机译:Si和C链在无缺陷和有缺陷的Si(111)表面上的吸附的理论研究
机译:表面C / Si比对高速晶圆旋转垂直CVD生长的4H-SiC同质外延膜的晶圆内均匀度和缺陷密度的影响
机译:在Si / Si(001)外延在表面缺陷中的甲基(001)外延期间的MONOATOMIC步骤的影响
机译:通过控制退火实验研究异质外延Si(1-x)Ge(x)薄膜的形态不稳定性和缺陷形成
机译:外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究(0001)GaN表面上的InGaN合金的制备
机译:通过扫描隧穿显微镜研究的Si表面上的固相外延。用STM观察Si(111)表面Si(111)表面的吸附过程及单个原子/分子的操纵。
机译:si衬底上Gaas薄膜的异质外延研究有效控制缺陷密度和内应力
机译:生产Si(1-v-w-x)CwAlxNv基础材料的过程,生产外延片的过程,SI(1-v-w-x)CwAlxNv基础材料和外延片的过程
机译:生产Si(1-v-w-x)CwAlxNv基材料的过程,生产外延片的过程,Si(1-v-w-x)CwAlxNv基材料和外延片的过程
机译:表面密度小于等于0.5缺陷/CM2的含有大凹坑缺陷的SiC外延片及其生产方法
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