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吴庆辉; 唐慧丽; 苏良碧; 罗平; 钱小波; 吴锋; 徐军;
中国科学院上海硅酸盐研究所人工晶体研究中心;
上海201800;
中国科学院上海硅酸盐研究所透明光功能无机材料重点实验室;
上海201899;
同济大学物理科学与工程学院;
上海200092;
上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹);
铟掺杂氧化镓单晶; 晶体生长; 浮区法;
机译:浮区法生长掺Yb钒酸盐的光学性质和激光性能
机译:在1350摄氏度下,使用光学浮区技术和Bab2O4通量的光学浮区技术和生长前景,在2700摄氏度下从熔体的单晶生长。
机译:光学浮区法生长尖晶石结构Zn1.8Co0.2TiO4单晶及其性能
机译:浮区法研究掺Pr的Lu_2Si_2O_7单晶的光学和闪烁特性
机译:浮区法生长的掺稀土Y3Al5O12单晶和透明陶瓷的光学性质
机译:浮区法生长的氧化亚铜晶体中的氧化铜夹杂物
机译:六角形锰氧化物的单晶生长$ R $ mnO $ _3 $($ R $ =稀有 通过光学浮区法
机译:浮区法(m-3)生长半导体化合物单晶Insb
机译:通过浮区法生产的大型单晶使用绝缘组件或绝缘层来抑制加热线圈与多晶和生长块以及熔融区之间的电荷
机译:浮区法生长单晶
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