在LaAlO3（001）基板上成长的锰掺杂CeO2的结构特性

摘要

waleedE．等人在LaAlO3（001）基板上通过乙二醇改型Sol—gel旋转涂覆工艺制得Mn掺杂CeO2薄膜，并对这种稀释磁半导体的性能进行评估。Mn离子为19／5～13％（原子分数），研究这个成分范围对结构、表面形貌、光性能及磁性的影响，借助扫描电镜、能谱色散、原子力显微镜、X-射线及磁性测量等方法进行了研究。